據韓國媒體報道，當地時間6月10日，三星電子宣布在DRAM內存制造領域率先引入干式光刻膠（Dry PR）技術，并計劃將其應用于即將正式推出的第六代10納米級工藝（1c nm）。
據了解，三星已經完成了用于干式光刻膠涂覆與顯影的多臺設備的安裝和調試工作，這些設備由泛林公司提供。干式光刻膠與傳統濕式工藝不同，不采用溶液旋涂方式，也不需要溶劑進行清洗，而是直接將光刻膠沉積在晶圓表面，從而避免了因液體表面張力而導致的圖案變形問題。此外，該技術還能提升光刻曝光效率，實現更精細的線路加工。
三星計劃將基于1c nm工藝制造的DRAM用于其HBM4產品中。由于干式光刻膠可改善圖形質量，有望為HBM4堆疊芯片的信號完整性與可靠性提供關鍵的物理基礎。
另據資料顯示，泛林公司曾在今年1月29日透露，其干式光刻膠技術已被一家領先的存儲芯片制造商應用于最先進的DRAM生產流程中。