6 月 20 日消息，韓媒 sisajournal-e 當地時間昨日報道稱，三星電子正積極推進現有較舊 NAND 閃存生產設施向目前最先進的第九代 V-NAND（IT之家注：286 層）轉換。
▲ 三星電子 V9 QLC NAND報道指出，三星目前正為其韓國平澤 P1 晶圓廠的 NAND 產能從 V6 更新至 V9 進行設備投資，并考慮將中國西安 X2 晶圓廠從目前的 V7 / V8 升級至 V9，旨在應對 AI 服務器對高容量 QLC 企業級 SSD 需求短暫低潮后的復蘇。
不過，三星電子放緩了下一代 400+ 層 NAND 閃存工藝 V10 的量產進度，這與超低溫蝕刻技術導入遇阻有關，可能導致 V10 NAND 量產線的投資建設計劃延至 2026 年上半年。