8月11日消息，據最新消息，三星Galaxy S26 Ultra在內存性能方面將實現重大飛躍。爆料人Ice Universe透露，該機型將配備美光最新的LPDDR5X內存，其速度高達10.7 Gbps，相較于S25 Ultra的9.6 Gbps顯著提升。
這一內存速度的飛躍得益于美光的1γ（1-gamma）DRAM架構，該架構相比上一代的 1β（1-beta）架構，在功耗效率和多任務處理能力上都有大幅提升。這意味著用戶在使用手機時，尤其是在運行高負載任務時，能夠獲得更流暢的性能體驗，同時不會過度消耗電池電量。
雖然在日常使用中，這種速度提升可能并不明顯，但在對內存帶寬要求極高的場景中，例如大型游戲或多任務切換時，其優勢將極為突出。對于游戲玩家和經常需要同時運行多個應用程序的用戶來說，這一升級無疑是一個巨大的福音。
此外，三星近年來一直在努力提升其設備的人工智能能力，而此次的RAM升級將在其中發揮關鍵作用。Galaxy S26 Ultra還預計將搭載驍龍8 Elite 2芯片，結合內存性能的提升，這款手機的整體性能將遠超前代機型。